近日，顺义科创智造园入驻企业铭镓半导体成为全球首个使用新工艺(VHGF法)成功制备4英时(010)氧化镓晶坯的企业。
氧化镓，是超宽禁带半导体的代表材料之一，而今也被划分为第四代半导体材料，近年来，由于氧化镓优异的物理性能和低成本优势，革命性地颠覆了目前的化合物半导体材料市场，已成为下一代信息技术的驱动力。
氧化镓晶体生长工艺选择面临着三个重要的问题：如何降低成本，增加成品率？如何制备晶体尺寸更大、纯度更好、缺陷更低？如何满足器件需求、制备更有应用前景的晶型材料？
面对这些问题，铭镓半导体给出了答卷。
2023年，铭镓半导体结合自身在掺杂氧化铝晶体的制备工艺的优势基础，利用铂铑合金坩埚，通过水平——垂直熔体温度梯度法，采用氧化镓自发结晶晶核优势生长排除杂晶的方式来替代VB法晶种接种，降低了接种难度。
2024年12月，铭镓通过该工艺全球首次成功制备了4英吋（010）氧化镓晶坯，生长厚度达55mm，加工后可用尺寸为3英寸，厚度高达40mm，为进一步扩大侧切晶体尺寸奠定基础。
同时，铭镓半导体与战略合作伙伴共同完成了国内首次器件小批量流片验证，验证铭镓的材料可以良好适用于功率半导体器件。这一成就不仅展现了铭镓半导体在氧化镓衬底技术方面的领先地位，也为国产氧化镓衬底在功率器件量产应用的道路上，奠定了坚实的基础。
